Microsemi Corporation - APT75GT120JRDQ3

KEY Part #: K6532553

APT75GT120JRDQ3 Prissætning (USD) [2360stk Lager]

  • 1 pcs$18.35131
  • 10 pcs$17.16017
  • 25 pcs$15.87062
  • 100 pcs$14.87874
  • 250 pcs$13.88682

Varenummer:
APT75GT120JRDQ3
Fabrikant:
Microsemi Corporation
Detaljeret beskrivelse:
IGBT 1200V 97A 480W SOT227.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - IGBT'er - Arrays, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - JFET'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Thyristorer - SCR'er - Moduler, Dioder - RF and Dioder - Zener - Single ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Microsemi Corporation APT75GT120JRDQ3 elektroniske komponenter. APT75GT120JRDQ3 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til APT75GT120JRDQ3, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT75GT120JRDQ3 Produktegenskaber

Varenummer : APT75GT120JRDQ3
Fabrikant : Microsemi Corporation
Beskrivelse : IGBT 1200V 97A 480W SOT227
Serie : Thunderbolt IGBT®
Del Status : Active
IGBT Type : NPT
Konfiguration : Single
Spænding - Samler Emitter Opdeling (Max) : 1200V
Nuværende - Samler (Ic) (Max) : 97A
Strøm - Max : 480W
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 75A
Nuværende - Collector Cutoff (Max) : 200µA
Inputkapacitans (Cies) @ Vce : 5.1nF @ 25V
Input : Standard
NTC-termistor : No
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Pakke / tilfælde : SOT-227-4, miniBLOC
Leverandør Device Package : ISOTOP®

Du kan også være interesseret i
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.