BAQ335-TR Prissætning (USD) [1352834stk Lager]
- 1 pcs$0.02734
- 12,500 pcs$0.02060
- Varenummer:
- BAQ335-TR
- Fabrikant:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GP 125V 200MA MICROMELF. Diodes - General Purpose, Power, Switching 125 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Thyristorer - SCR'er - Moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - Særligt formål, Dioder - Rectifiers - Arrays, Dioder - Rectifiers - Single and Dioder - Bridge Rectifiers ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Vishay Semiconductor Diodes Division BAQ335-TR elektroniske komponenter. BAQ335-TR kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til BAQ335-TR, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
BAQ335-TR Produktegenskaber
Varenummer :
BAQ335-TR
Fabrikant :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beskrivelse :
DIODE GP 125V 200MA MICROMELF
Serie :
-
Del Status :
Active
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
125V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
200mA
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
1V @ 100mA
Hastighed :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
1nA @ 60V
Kapacitans @ Vr, F :
3pF @ 0V, 1MHz
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
2-SMD, No Lead
Leverandør Device Package :
MicroMELF
Driftstemperatur - Junction :
-65°C ~ 175°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
-
1N4150W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
-
SE20FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
ES07B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM
-
BYM10-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Varme dele
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF