EGF1DHE3_A/I Prissætning (USD) [460696stk Lager]
- 1 pcs$0.08029
- Varenummer:
- EGF1DHE3_A/I
- Fabrikant:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA. Rectifiers 1A,200V,50NS AEC-Q101 Qualified
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Dioder - Zener - Arrays, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Dioder - Rectifiers - Arrays, Dioder - Rectifiers - Single, Thyristorer - SCR'er, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF and Power Driver Modules ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Vishay Semiconductor Diodes Division EGF1DHE3_A/I elektroniske komponenter. EGF1DHE3_A/I kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til EGF1DHE3_A/I, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
EGF1DHE3_A/I Produktegenskaber
Varenummer :
EGF1DHE3_A/I
Fabrikant :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beskrivelse :
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Serie :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Del Status :
Active
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
200V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
1A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
1V @ 1A
Hastighed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
50ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
2µA @ 200V
Kapacitans @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
DO-214BA
Leverandør Device Package :
DO-214BA (GF1)
Driftstemperatur - Junction :
-65°C ~ 175°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
SS14-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 40 Volt
-
ES2B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt
-
ES2FHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
-
ES2FHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
-
ES2CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,20ns SMB, UF Rect, SMD
-
ES2AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20ns SMB, UF Rect, SMD
Varme dele
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18