GeneSiC Semiconductor - MBR20035CTR

KEY Part #: K6468494

Detaljeret beskrivelse:: DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 35V 200A Schottky Recovery

Familiekategorier:: KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Thyristorer - SCR'er, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Transistorer - JFET'er and Dioder - Bridge Rectifiers ...

Konkurrencefordel:: Vi er specialiserede i GeneSiC Semiconductor MBR20035CTR elektroniske komponenter. MBR20035CTR kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til MBR20035CTR, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com

Varenummer : MBR20035CTR

Fabrikant : GeneSiC Semiconductor

Beskrivelse : DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER

Serie : -

Del Status : Active

Diode Konfiguration : 1 Pair Common Anode

Diodetype : Schottky

Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) : 35V

Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) (pr. Diode) : 200A (DC)

Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis : 650mV @ 100A

Hastighed : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : -

Nuværende - Reverse Lækage @ Vr : 5mA @ 20V

Driftstemperatur - Junction : -

Monteringstype : Chassis Mount

Pakke / tilfælde : Twin Tower

Leverandør Device Package : Twin Tower

Du kan også være interesseret i

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.

Varme dele