Toshiba Semiconductor and Storage - TPW4R50ANH,L1Q

KEY Part #: K6416395

TPW4R50ANH,L1Q Prissætning (USD) [122345stk Lager]

  • 1 pcs$0.31034
  • 5,000 pcs$0.30880

Varenummer:
TPW4R50ANH,L1Q
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Power Driver Modules, Thyristorer - SCR'er, Thyristorer - TRIACs, Transistorer - Særligt formål, Dioder - Zener - Single, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors) and Dioder - Bridge Rectifiers ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R50ANH,L1Q elektroniske komponenter. TPW4R50ANH,L1Q kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til TPW4R50ANH,L1Q, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPW4R50ANH,L1Q Produktegenskaber

Varenummer : TPW4R50ANH,L1Q
Fabrikant : Toshiba Semiconductor and Storage
Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
Serie : U-MOSVIII-H
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 100V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 92A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 50V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 800mW (Ta), 142W (Tc)
Driftstemperatur : 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : 8-DSOP Advance
Pakke / tilfælde : 8-PowerVDFN