Infineon Technologies - IRLR3714PBF

KEY Part #: K6411437

[13791stk Lager]


    Varenummer:
    IRLR3714PBF
    Fabrikant:
    Infineon Technologies
    Detaljeret beskrivelse:
    MOSFET N-CH 20V 36A DPAK.
    Producentens standard ledetid:
    På lager
    Opbevaringstid:
    Et år
    Chip fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåde:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Rectifiers - Arrays, Transistorer - IGBT'er - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Thyristorer - SCR'er, Transistorer - Særligt formål, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er and Dioder - Rectifiers - Single ...
    Konkurrencefordel:
    Vi er specialiserede i Infineon Technologies IRLR3714PBF elektroniske komponenter. IRLR3714PBF kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IRLR3714PBF, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLR3714PBF Produktegenskaber

    Varenummer : IRLR3714PBF
    Fabrikant : Infineon Technologies
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
    Serie : HEXFET®
    Del Status : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Afløb til Source Voltage (VDSS) : 20V
    Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 36A (Tc)
    Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 18A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9.7nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±20V
    Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 670pF @ 10V
    FET-funktion : -
    Power Dissipation (Max) : 47W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Monteringstype : Surface Mount
    Leverandør Device Package : D-Pak
    Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63