IDC51D120T6MX1SA3 Prissætning (USD) [12304stk Lager]
- 1 pcs$3.34932
- Varenummer:
- IDC51D120T6MX1SA3
- Fabrikant:
- Infineon Technologies
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER.
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - IGBT'er - Moduler, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - IGBT'er - Single, Thyristorer - SCR'er, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single and Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Infineon Technologies IDC51D120T6MX1SA3 elektroniske komponenter. IDC51D120T6MX1SA3 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IDC51D120T6MX1SA3, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
IDC51D120T6MX1SA3 Produktegenskaber
Varenummer :
IDC51D120T6MX1SA3
Fabrikant :
Infineon Technologies
Beskrivelse :
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
Serie :
-
Del Status :
Active
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
1200V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
100A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
2.05V @ 100A
Hastighed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
18µA @ 1200V
Kapacitans @ Vr, F :
-
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
Die
Leverandør Device Package :
Sawn on foil
Driftstemperatur - Junction :
-40°C ~ 175°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV19W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 200mA 50ns 1A IFSM
-
Varme dele
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF