Vishay Siliconix - SIS476DN-T1-GE3

KEY Part #: K6419657

SIS476DN-T1-GE3 Prissætning (USD) [178611stk Lager]

  • 1 pcs$0.20812
  • 3,000 pcs$0.20708

Varenummer:
SIS476DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - IGBT'er - Moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Transistorer - Særligt formål, Thyristorer - SCR'er - Moduler, Transistorer - JFET'er, Transistorer - Programmerbar Unijunction and Dioder - Zener - Arrays ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Vishay Siliconix SIS476DN-T1-GE3 elektroniske komponenter. SIS476DN-T1-GE3 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til SIS476DN-T1-GE3, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS476DN-T1-GE3 Produktegenskaber

Varenummer : SIS476DN-T1-GE3
Fabrikant : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR
Serie : TrenchFET®
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 30V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 77nC @ 10V
Vgs (Max) : +20V, -16V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 3595pF @ 15V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : PowerPAK® 1212-8
Pakke / tilfælde : PowerPAK® 1212-8