Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Integrerede kredsløb (IC'er)
  4. Hukommelse
  5. TC58BYG0S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG0S3HBAI4

KEY Part #: K939351

TC58BYG0S3HBAI4 Prissætning (USD) [24757stk Lager]

  • 1 pcs$1.85094
Varenummer:
TC58BYG0S3HBAI4
Fabrikant:
Toshiba Memory America, Inc.
Detaljeret beskrivelse:
1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE. NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Logik - Universal Bus Funktioner, Lineær - Forstærkere - Særligt formål, PMIC - Power Distribution Switches, Load Drivers, Interface - Encoders, Decoders, Converters, Interface - Filtre - Aktiv, Lineær - Forstærkere - Lyd, PMIC - Spændingsregulatorer - Særligt formål and Ur / Timing - Clock Buffers, Drivers ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG0S3HBAI4 elektroniske komponenter. TC58BYG0S3HBAI4 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til TC58BYG0S3HBAI4, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG0S3HBAI4 Produktegenskaber

Varenummer : TC58BYG0S3HBAI4
Fabrikant : Toshiba Memory America, Inc.
Beskrivelse : 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE
Serie : Benand™
Del Status : Active
Hukommelsestype : Non-Volatile
Hukommelsesformat : FLASH
Teknologi : FLASH - NAND (SLC)
Hukommelsesstørrelse : 1Gb (128M x 8)
Urfrekvens : -
Skriv cyklus Tid - Ord, Side : 25ns
Adgangstid : -
Memory Interface : -
Spænding - Supply : 1.7V ~ 1.95V
Driftstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : 63-VFBGA
Leverandør Device Package : 63-TFBGA (9x11)

Seneste nyt

Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Du kan også være interesseret i
  • U62256ADK07LLG1

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

Varme dele