STMicroelectronics - STB7NK80Z-1

KEY Part #: K6393768

STB7NK80Z-1 Prissætning (USD) [58751stk Lager]

  • 1 pcs$0.66886
  • 1,000 pcs$0.66554

Varenummer:
STB7NK80Z-1
Fabrikant:
STMicroelectronics
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Dioder - Rectifiers - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristorer - TRIACs and Dioder - Bridge Rectifiers ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i STMicroelectronics STB7NK80Z-1 elektroniske komponenter. STB7NK80Z-1 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til STB7NK80Z-1, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB7NK80Z-1 Produktegenskaber

Varenummer : STB7NK80Z-1
Fabrikant : STMicroelectronics
Beskrivelse : MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
Serie : SuperMESH™
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 800V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 5.2A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 1138pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 125W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandør Device Package : I2PAK
Pakke / tilfælde : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA