Microsemi Corporation - APTM100H35FT3G

KEY Part #: K6522678

APTM100H35FT3G Prissætning (USD) [934stk Lager]

  • 1 pcs$50.00678
  • 100 pcs$49.75799

Varenummer:
APTM100H35FT3G
Fabrikant:
Microsemi Corporation
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Dioder - Bridge Rectifiers, Thyristorer - TRIACs, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Thyristorer - SCR'er, Dioder - Zener - Single, Transistorer - JFET'er and Transistorer - Bipolar (BJT) - Single ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Microsemi Corporation APTM100H35FT3G elektroniske komponenter. APTM100H35FT3G kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til APTM100H35FT3G, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100H35FT3G Produktegenskaber

Varenummer : APTM100H35FT3G
Fabrikant : Microsemi Corporation
Beskrivelse : MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
Serie : -
Del Status : Active
FET Type : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET-funktion : Standard
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 1000V (1kV)
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 186nC @ 10V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 25V
Strøm - Max : 390W
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Pakke / tilfælde : SP3
Leverandør Device Package : SP3