1N5818 Prissætning (USD) [1161612stk Lager]
- 1 pcs$0.03456
- 2,000 pcs$0.03438
- 6,000 pcs$0.03247
- 10,000 pcs$0.02961
- 50,000 pcs$0.02547
- Varenummer:
- 1N5818
- Fabrikant:
- ON Semiconductor
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41. Schottky Diodes & Rectifiers Vr/30V Io/1A BULK
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Thyristorer - SCR'er - Moduler, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Dioder - Rectifiers - Arrays and Power Driver Modules ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i ON Semiconductor 1N5818 elektroniske komponenter. 1N5818 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til 1N5818, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
1N5818 Produktegenskaber
Varenummer :
1N5818
Fabrikant :
ON Semiconductor
Beskrivelse :
DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41
Serie :
-
Del Status :
Active
Diodetype :
Schottky
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
30V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
1A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
550mV @ 1A
Hastighed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
500µA @ 30V
Kapacitans @ Vr, F :
110pF @ 4V, 1MHz
Monteringstype :
Through Hole
Pakke / tilfælde :
DO-204AL, DO-41, Axial
Leverandør Device Package :
DO-41
Driftstemperatur - Junction :
-65°C ~ 125°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
VS-5EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
-
1N4150W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
Varme dele
- IDT06S60CHKSA1
- GP10A-5016M3/54
- 1N4006GPE-M3/73
- D740N36TXPSA1
- UF4005 BK
- JANS1N6677UR-1
- BA157GP-M3/54
- GP02-40-M3/73
- 1N4004GPE-E3/93
- RU 4DS
- VS-MBRD330TRLPBF
- SK310B/TR13
- SB10-05A3-BT
- DLA11C-TR-E
- GPA804-BP
- 1N5401-AP
- SS32HE3/57T
- SS25HE3/52T
- SS320HE-TP
- RJU6053WDPP-M0#T2
- S3GHE3/57T
- RS3BHE3/9AT
- RGP5020-E3/54
- GPP15M-E3/54
- GI917-E3/54
- FGP30D-E3/73
- MBRD835L
- MR856
- MBRS3201T3
- SIDC53D120H6X1SA3
- VS-MUR1520PBF
- 80EPS08
- S3AB-13
- FR1J-LTP
- D255K06BXPSA1
- STPSC5H12D
- RGF1D-E3/67A
- RB068LAM150TR
- RF01VM2STE-17
- LS103A-GS18