Vishay Siliconix - SUD90330E-GE3

KEY Part #: K6419688

SUD90330E-GE3 Prissætning (USD) [125329stk Lager]

  • 1 pcs$0.29512

Varenummer:
SUD90330E-GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - RF, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Transistorer - IGBT'er - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF and Thyristorer - SCR'er - Moduler ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Vishay Siliconix SUD90330E-GE3 elektroniske komponenter. SUD90330E-GE3 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til SUD90330E-GE3, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUD90330E-GE3 Produktegenskaber

Varenummer : SUD90330E-GE3
Fabrikant : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Serie : ThunderFET®
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 200V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 35.8A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37.5 mOhm @ 12.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 1172pF @ 100V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 125W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : TO-252AA
Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63