ON Semiconductor - FDB15N50

KEY Part #: K6402957

FDB15N50 Prissætning (USD) [42845stk Lager]

  • 1 pcs$0.91258
  • 800 pcs$0.87544

Varenummer:
FDB15N50
Fabrikant:
ON Semiconductor
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Transistorer - Særligt formål, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Power Driver Modules, Thyristorer - TRIACs, Transistorer - JFET'er and Transistorer - IGBT'er - Moduler ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i ON Semiconductor FDB15N50 elektroniske komponenter. FDB15N50 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til FDB15N50, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB15N50 Produktegenskaber

Varenummer : FDB15N50
Fabrikant : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB
Serie : -
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 500V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 15A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 1850pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 300W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : D²PAK
Pakke / tilfælde : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB