Toshiba Memory America, Inc. - TC58BVG2S0HTAI0

KEY Part #: K938181

TC58BVG2S0HTAI0 Prissætning (USD) [19471stk Lager]

  • 1 pcs$1.97434
  • 10 pcs$1.79100
  • 25 pcs$1.75205
  • 50 pcs$1.74235
  • 100 pcs$1.56255

Varenummer:
TC58BVG2S0HTAI0
Fabrikant:
Toshiba Memory America, Inc.
Detaljeret beskrivelse:
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Data Acquisition - Digitale Potentiometre, Embedded - DSP (Digital Signal Processors), Lineær - Forstærkere - Videoforstærkere og -module, Memory - Controllers, Ur / Timing - Anvendelsesspecifik, Data Acquisition - Analog til Digital Converters (, PMIC - Termisk styring and Ur / Timing - Programmerbare Timere og Oscillatore ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Toshiba Memory America, Inc. TC58BVG2S0HTAI0 elektroniske komponenter. TC58BVG2S0HTAI0 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til TC58BVG2S0HTAI0, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BVG2S0HTAI0 Produktegenskaber

Varenummer : TC58BVG2S0HTAI0
Fabrikant : Toshiba Memory America, Inc.
Beskrivelse : IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
Serie : Benand™
Del Status : Active
Hukommelsestype : Non-Volatile
Hukommelsesformat : FLASH
Teknologi : FLASH - NAND (SLC)
Hukommelsesstørrelse : 4Gb (512M x 8)
Urfrekvens : -
Skriv cyklus Tid - Ord, Side : 25ns
Adgangstid : 25ns
Memory Interface : Parallel
Spænding - Supply : 2.7V ~ 3.6V
Driftstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Leverandør Device Package : 48-TSOP I

Du kan også være interesseret i
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)