NRVHPD660T4G Prissætning (USD) [229084stk Lager]
- 1 pcs$0.16146
- 2,500 pcs$0.14674
- Varenummer:
- NRVHPD660T4G
- Fabrikant:
- ON Semiconductor
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers PUF 6A 600V IN DPAK
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - JFET'er, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single and Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors) ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i ON Semiconductor NRVHPD660T4G elektroniske komponenter. NRVHPD660T4G kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til NRVHPD660T4G, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
NRVHPD660T4G Produktegenskaber
Varenummer :
NRVHPD660T4G
Fabrikant :
ON Semiconductor
Beskrivelse :
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Del Status :
Active
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
600V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
6A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
3V @ 6A
Hastighed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
50ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
30µA @ 600V
Kapacitans @ Vr, F :
-
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverandør Device Package :
DPAK
Driftstemperatur - Junction :
-65°C ~ 175°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
VS-8EWS10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK
-
VS-HFA04SD60STRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt
-
VS-HFA04SD60SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-8EWS16STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWF12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODES - D-PAK-E3. Rectifiers 8A If; 1200V Vr TO-252AA (DPAK)
-
VS-8EWF04STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
Varme dele
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G