Micron Technology Inc. - MT41K128M8DA-107 AIT:J TR

KEY Part #: K937728

MT41K128M8DA-107 AIT:J TR Prissætning (USD) [17859stk Lager]

  • 1 pcs$2.57853
  • 2,000 pcs$2.56570

Varenummer:
MT41K128M8DA-107 AIT:J TR
Fabrikant:
Micron Technology Inc.
Detaljeret beskrivelse:
IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA. DRAM DDR3 1G 128MX8 FBGA
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Lineær - Forstærkere - Lyd, Logik - Låse, Logik - Oversættere, Level Shifters, Data Acquisition - Touch Screen Controllers, Lineære - Analog Multiplikatorer, Dividere, Logic - Shift Registers, Data Acquisition - Analog til Digital Converters ( and Ur / Timing - IC Batterier ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Micron Technology Inc. MT41K128M8DA-107 AIT:J TR elektroniske komponenter. MT41K128M8DA-107 AIT:J TR kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til MT41K128M8DA-107 AIT:J TR, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT41K128M8DA-107 AIT:J TR Produktegenskaber

Varenummer : MT41K128M8DA-107 AIT:J TR
Fabrikant : Micron Technology Inc.
Beskrivelse : IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
Serie : Automotive, AEC-Q100
Del Status : Active
Hukommelsestype : Volatile
Hukommelsesformat : DRAM
Teknologi : SDRAM - DDR3L
Hukommelsesstørrelse : 1Gb (128M x 8)
Urfrekvens : 933MHz
Skriv cyklus Tid - Ord, Side : -
Adgangstid : 20ns
Memory Interface : Parallel
Spænding - Supply : 1.283V ~ 1.45V
Driftstemperatur : -40°C ~ 95°C (TC)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : 78-TFBGA
Leverandør Device Package : 78-FBGA (8x10.5)

Du kan også være interesseret i
  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9812G2KB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

  • W97AH2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C