GeneSiC Semiconductor - MBR600200CT

KEY Part #: K6468492

Detaljeret beskrivelse:: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Forward

Familiekategorier:: KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - IGBT'er - Arrays, Power Driver Modules, Transistorer - JFET'er, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Transistorer - Særligt formål, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased and Transistorer - Bipolar (BJT) - Single ...

Konkurrencefordel:: Vi er specialiserede i GeneSiC Semiconductor MBR600200CT elektroniske komponenter. MBR600200CT kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til MBR600200CT, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com

Varenummer : MBR600200CT

Fabrikant : GeneSiC Semiconductor

Beskrivelse : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Serie : -

Del Status : Active

Diode Konfiguration : 1 Pair Common Cathode

Diodetype : Schottky

Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) : 200V

Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) (pr. Diode) : 300A

Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis : 920mV @ 300A

Hastighed : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : -

Nuværende - Reverse Lækage @ Vr : 3mA @ 200V

Driftstemperatur - Junction : -55°C ~ 150°C

Monteringstype : Chassis Mount

Pakke / tilfælde : Twin Tower

Leverandør Device Package : Twin Tower

Du kan også være interesseret i

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.

Varme dele