Micron Technology Inc. - MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR

KEY Part #: K937818

MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR Prissætning (USD) [18150stk Lager]

  • 1 pcs$2.66822
  • 1,000 pcs$2.65494

Varenummer:
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR
Fabrikant:
Micron Technology Inc.
Detaljeret beskrivelse:
IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash SLC 4G 512MX8 FBGA
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Logik - FIFO'er Hukommelse, Interface - Sensor, Kapacitiv Touch, Dataforsamling - ADC'er / DAC'er - Særligt formål, PMIC - Hot Swap Controllers, PMIC - Power Over Ethernet (PoE) Controllers, Ur / Timing - Programmerbare Timere og Oscillatore, Specialiserede IC'er and Interface - Encoders, Decoders, Converters ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR elektroniske komponenter. MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR Produktegenskaber

Varenummer : MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR
Fabrikant : Micron Technology Inc.
Beskrivelse : IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
Serie : -
Del Status : Active
Hukommelsestype : Non-Volatile
Hukommelsesformat : FLASH
Teknologi : FLASH - NAND
Hukommelsesstørrelse : 4Gb (512M x 8)
Urfrekvens : -
Skriv cyklus Tid - Ord, Side : -
Adgangstid : -
Memory Interface : Parallel
Spænding - Supply : 2.7V ~ 3.6V
Driftstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : 63-VFBGA
Leverandør Device Package : 63-VFBGA (9x11)

Du kan også være interesseret i
  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

  • W97AH2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • W97AH6KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C