IXYS - IXFE23N100

KEY Part #: K6401879

IXFE23N100 Prissætning (USD) [2783stk Lager]

  • 1 pcs$16.34522

Varenummer:
IXFE23N100
Fabrikant:
IXYS
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - IGBT'er - Single, Dioder - Bridge Rectifiers, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - Programmerbar Unijunction and Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors) ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i IXYS IXFE23N100 elektroniske komponenter. IXFE23N100 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IXFE23N100, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFE23N100 Produktegenskaber

Varenummer : IXFE23N100
Fabrikant : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227
Serie : HiPerFET™
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 1000V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 430 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 250nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 7000pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 500W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Leverandør Device Package : SOT-227B
Pakke / tilfælde : SOT-227-4, miniBLOC

Du kan også være interesseret i
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • IRFI4228PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • IRFI1010NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP.

  • SSM3J304T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM.

  • SSM3J306T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM.

  • PMN70XPEAX

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP.