Infineon Technologies - IPD5N25S3430ATMA1

KEY Part #: K6420858

IPD5N25S3430ATMA1 Prissætning (USD) [273862stk Lager]

  • 1 pcs$0.13506
  • 2,500 pcs$0.12389

Varenummer:
IPD5N25S3430ATMA1
Fabrikant:
Infineon Technologies
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH TO252-3.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - SCR'er - Moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Dioder - Rectifiers - Single, Dioder - RF, Thyristorer - TRIACs, Dioder - Zener - Arrays and Dioder - Rectifiers - Arrays ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Infineon Technologies IPD5N25S3430ATMA1 elektroniske komponenter. IPD5N25S3430ATMA1 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IPD5N25S3430ATMA1, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD5N25S3430ATMA1 Produktegenskaber

Varenummer : IPD5N25S3430ATMA1
Fabrikant : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH TO252-3
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 250V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 5A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 430 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 13µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 422pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 41W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : PG-TO252-3-313
Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63