Micron Technology Inc. - MT47H32M16NF-25E AAT:H

KEY Part #: K936916

MT47H32M16NF-25E AAT:H Prissætning (USD) [15404stk Lager]

  • 1 pcs$2.98960
  • 1,368 pcs$2.97472

Varenummer:
MT47H32M16NF-25E AAT:H
Fabrikant:
Micron Technology Inc.
Detaljeret beskrivelse:
IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA. DRAM DDR2 512M 32MX16 FBGA
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) m, Logik - Universal Bus Funktioner, Ur / Timing - Delay Lines, Interface - Voice Record og afspilning, Logik - Flip Flops, Embedded - Microcontrollers, PMIC - PFC (Power Factor Correction) and Interface - Controllers ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AAT:H elektroniske komponenter. MT47H32M16NF-25E AAT:H kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til MT47H32M16NF-25E AAT:H, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT47H32M16NF-25E AAT:H Produktegenskaber

Varenummer : MT47H32M16NF-25E AAT:H
Fabrikant : Micron Technology Inc.
Beskrivelse : IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
Serie : -
Del Status : Active
Hukommelsestype : Volatile
Hukommelsesformat : DRAM
Teknologi : SDRAM - DDR2
Hukommelsesstørrelse : 512Mb (32M x 16)
Urfrekvens : 400MHz
Skriv cyklus Tid - Ord, Side : 15ns
Adgangstid : 400ps
Memory Interface : Parallel
Spænding - Supply : 1.7V ~ 1.9V
Driftstemperatur : -40°C ~ 105°C (TC)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : 84-TFBGA
Leverandør Device Package : 84-FBGA (8x12.5)

Du kan også være interesseret i
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16

  • EDB1332BDBH-1DAAT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM LPDDR2 1G 32MX32 FBGA