Microsemi Corporation - JANTXV1N5550

KEY Part #: K6440334

JANTXV1N5550 Prissætning (USD) [5117stk Lager]

  • 1 pcs$7.24070
  • 10 pcs$6.58318
  • 25 pcs$6.08942
  • 100 pcs$5.59570
  • 250 pcs$5.10197

Varenummer:
JANTXV1N5550
Fabrikant:
Microsemi Corporation
Detaljeret beskrivelse:
DIODE GEN PURP 200V 5A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A STD 200V HRV
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Rectifiers - Arrays, Transistorer - Særligt formål, Dioder - Zener - Single, Dioder - RF, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Thyristorer - SCR'er, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays and Transistorer - Bipolar (BJT) - Single ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Microsemi Corporation JANTXV1N5550 elektroniske komponenter. JANTXV1N5550 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til JANTXV1N5550, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5550 Produktegenskaber

Varenummer : JANTXV1N5550
Fabrikant : Microsemi Corporation
Beskrivelse : DIODE GEN PURP 200V 5A AXIAL
Serie : Military, MIL-PRF-19500/420
Del Status : Active
Diodetype : Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) : 200V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) : 5A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis : 1.2V @ 9A
Hastighed : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 2µs
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr : 1µA @ 200V
Kapacitans @ Vr, F : -
Monteringstype : Through Hole
Pakke / tilfælde : B, Axial
Leverandør Device Package : -
Driftstemperatur - Junction : -65°C ~ 175°C

Du kan også være interesseret i
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • EGP20B-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • 1N4585GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

  • GP15M-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM