MURS260-M3/5BT Prissætning (USD) [777530stk Lager]
- 1 pcs$0.05020
- 6,400 pcs$0.04995
- Varenummer:
- MURS260-M3/5BT
- Fabrikant:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,600V,50NS,UF RECT,SMD
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - RF, Thyristorer - SCR'er, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - IGBT'er - Arrays and Transistorer - Særligt formål ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Vishay Semiconductor Diodes Division MURS260-M3/5BT elektroniske komponenter. MURS260-M3/5BT kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til MURS260-M3/5BT, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
MURS260-M3/5BT Produktegenskaber
Varenummer :
MURS260-M3/5BT
Fabrikant :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beskrivelse :
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Serie :
-
Del Status :
Active
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
600V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
2A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
1.45V @ 2A
Hastighed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
75ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
5µA @ 600V
Kapacitans @ Vr, F :
-
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
DO-214AA, SMB
Leverandør Device Package :
DO-214AA (SMB)
Driftstemperatur - Junction :
-65°C ~ 175°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
RGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34J-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-200-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
-
BYM07-100-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt
Varme dele
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A