Infineon Technologies - IRFBA90N20DPBF

KEY Part #: K6416291

IRFBA90N20DPBF Prissætning (USD) [12988stk Lager]

  • 1 pcs$3.04524
  • 10 pcs$2.74204
  • 100 pcs$2.25462
  • 500 pcs$1.88901
  • 1,000 pcs$1.64526

Varenummer:
IRFBA90N20DPBF
Fabrikant:
Infineon Technologies
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - IGBT'er - Arrays, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Thyristorer - SCR'er - Moduler, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Dioder - Zener - Single, Thyristorer - SCR'er, Dioder - Zener - Arrays and Transistorer - Bipolar (BJT) - RF ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Infineon Technologies IRFBA90N20DPBF elektroniske komponenter. IRFBA90N20DPBF kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IRFBA90N20DPBF, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFBA90N20DPBF Produktegenskaber

Varenummer : IRFBA90N20DPBF
Fabrikant : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
Serie : HEXFET®
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 200V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 98A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 59A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 240nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 6080pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 650W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandør Device Package : SUPER-220™ (TO-273AA)
Pakke / tilfælde : Super-220™-3 (Straight Leads)