PMEG3010AESBYL Prissætning (USD) [1555320stk Lager]
- 1 pcs$0.02378
- 10,000 pcs$0.02159
- 30,000 pcs$0.02025
- 50,000 pcs$0.01800
- Varenummer:
- PMEG3010AESBYL
- Fabrikant:
- Nexperia USA Inc.
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD993. Schottky Diodes & Rectifiers 1A MEGA Schottky Barrier Rectifier
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - IGBT'er - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Dioder - Rectifiers - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Thyristorer - TRIACs and Dioder - Rectifiers - Arrays ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Nexperia USA Inc. PMEG3010AESBYL elektroniske komponenter. PMEG3010AESBYL kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til PMEG3010AESBYL, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
PMEG3010AESBYL Produktegenskaber
Varenummer :
PMEG3010AESBYL
Fabrikant :
Nexperia USA Inc.
Beskrivelse :
DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD993
Serie :
-
Del Status :
Active
Diodetype :
Schottky
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
30V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
1A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
480mV @ 1A
Hastighed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
3.5ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
255µA @ 20V
Kapacitans @ Vr, F :
86pF @ 1V, 1MHz
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
2-XDFN
Leverandør Device Package :
DSN1006-2
Driftstemperatur - Junction :
150°C (Max)
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
-
VS-16EDH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 200V FRED Pt AEC-Q101
-
FESB8BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 100 Volt 35ns 125 Amp IFSM
-
UGB8CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 150 Volt 20ns 150 Amp IFSM
-
UGB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 200 Volt 20ns 150 Amp IFSM
-
UGB8ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 50 Volt 20ns 150 Amp IFSM
Varme dele
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18