Vishay Siliconix - SI2308BDS-T1-E3

KEY Part #: K6419341

SI2308BDS-T1-E3 Prissætning (USD) [485597stk Lager]

  • 1 pcs$0.07617
  • 3,000 pcs$0.06474

Varenummer:
SI2308BDS-T1-E3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Rectifiers - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Transistorer - IGBT'er - Single, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single and Transistorer - Bipolar (BJT) - RF ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Vishay Siliconix SI2308BDS-T1-E3 elektroniske komponenter. SI2308BDS-T1-E3 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til SI2308BDS-T1-E3, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2308BDS-T1-E3 Produktegenskaber

Varenummer : SI2308BDS-T1-E3
Fabrikant : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Serie : TrenchFET®
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 60V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 2.3A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 156 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 190pF @ 30V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : SOT-23-3 (TO-236)
Pakke / tilfælde : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Du kan også være interesseret i