Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Integrerede kredsløb (IC'er)
  4. Hukommelse
  5. W987D2HBJX7E TR

Winbond Electronics - W987D2HBJX7E TR

KEY Part #: K942478

W987D2HBJX7E TR Prissætning (USD) [47612stk Lager]

  • 1 pcs$1.02726
  • 2,500 pcs$1.02215
Varenummer:
W987D2HBJX7E TR
Fabrikant:
Winbond Electronics
Detaljeret beskrivelse:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mSDR, x32, 133MHz, 65nm T&R
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Lineær - Forstærkere - Særligt formål, Logik - Multivibratorer, PMIC - Hot Swap Controllers, PMIC - Power Distribution Switches, Load Drivers, Logik - Signalafbrydere, Multiplexere, Dekodere, PMIC - Power Management - Specialiseret, Lineære - Sammenligninger and Lineær - Forstærkere - Instrumentering, OP Amps, B ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Winbond Electronics W987D2HBJX7E TR elektroniske komponenter. W987D2HBJX7E TR kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til W987D2HBJX7E TR, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W987D2HBJX7E TR Produktegenskaber

Varenummer : W987D2HBJX7E TR
Fabrikant : Winbond Electronics
Beskrivelse : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Serie : -
Del Status : Not For New Designs
Hukommelsestype : Volatile
Hukommelsesformat : DRAM
Teknologi : SDRAM - Mobile LPSDR
Hukommelsesstørrelse : 128Mb (4M x 32)
Urfrekvens : 133MHz
Skriv cyklus Tid - Ord, Side : 15ns
Adgangstid : 5.4ns
Memory Interface : Parallel
Spænding - Supply : 1.7V ~ 1.95V
Driftstemperatur : -25°C ~ 85°C (TC)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : 90-TFBGA
Leverandør Device Package : 90-VFBGA (8x13)

Seneste nyt

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
Du kan også være interesseret i
  • NDS63PT9-16IT

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 86TSOP.

  • IS25WP128F-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 128Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • IS25WP064A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • W25Q128FWPIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

  • IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M SPI 20MHZ 8SOIC. SRAM 2Mb 256Kx8 20MHz 2.2-3.6V Serial SRAM

  • IS25WP032A-JBLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP.

Varme dele