Micron Technology Inc. - MT53D512M64D4SB-046 XT:E

KEY Part #: K906795

MT53D512M64D4SB-046 XT:E Prissætning (USD) [867stk Lager]

  • 1 pcs$59.50738

Varenummer:
MT53D512M64D4SB-046 XT:E
Fabrikant:
Micron Technology Inc.
Detaljeret beskrivelse:
IC DRAM 32G 2133MHZ. DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDP
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) m, Logik - Universal Bus Funktioner, PMIC - Full, Half-Bridge Drivers, Lineær - Videobehandling, PMIC - RMS til DC-omformere, Embedded - Microcontrollers - Application Specific, Data Acquisition - Digitale til Analoge Omformere and Embedded - CPLD'er (Complex Programmerbare Logic D ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Micron Technology Inc. MT53D512M64D4SB-046 XT:E elektroniske komponenter. MT53D512M64D4SB-046 XT:E kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til MT53D512M64D4SB-046 XT:E, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT53D512M64D4SB-046 XT:E Produktegenskaber

Varenummer : MT53D512M64D4SB-046 XT:E
Fabrikant : Micron Technology Inc.
Beskrivelse : IC DRAM 32G 2133MHZ
Serie : -
Del Status : Active
Hukommelsestype : Volatile
Hukommelsesformat : DRAM
Teknologi : SDRAM - Mobile LPDDR4
Hukommelsesstørrelse : 32Gb (512M x 64)
Urfrekvens : 2133MHz
Skriv cyklus Tid - Ord, Side : -
Adgangstid : -
Memory Interface : -
Spænding - Supply : 1.1V
Driftstemperatur : -30°C ~ 105°C (TC)
Monteringstype : -
Pakke / tilfælde : -
Leverandør Device Package : -

Du kan også være interesseret i
  • IS49RL18320-093EBLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory,576M Common I/O,1066Mhz

  • IS49RL36160-093EBLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 1066Mhz

  • DS1265W-100IND+

    Maxim Integrated

    IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP. NVRAM 3.3V 8M NV SRAM

  • DS1265Y-70IND+

    Maxim Integrated

    IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP. NVRAM 8M NV SRAM

  • IS61VF204836B-7.5TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP. SRAM 72Mb,Flowthrough,Sync,2Mb x 36, 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS

  • IS61NVP204836B-166TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP. SRAM 72Mb, 7.5ns, 2.5v 2M x 36 Sync SRAM