Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Dioder - Rectifiers - Single
  5. JAN1N5553US

Microsemi Corporation - JAN1N5553US

KEY Part #: K6427476

JAN1N5553US Prissætning (USD) [5181stk Lager]

  • 1 pcs$8.36048
  • 100 pcs$6.03248
Varenummer:
JAN1N5553US
Fabrikant:
Microsemi Corporation
Detaljeret beskrivelse:
DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF. Rectifiers Rectifier
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Rectifiers - Arrays, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - Særligt formål, Power Driver Modules, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Thyristorer - TRIACs, Transistorer - Programmerbar Unijunction and Transistorer - Bipolar (BJT) - RF ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Microsemi Corporation JAN1N5553US elektroniske komponenter. JAN1N5553US kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til JAN1N5553US, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5553US Produktegenskaber

Varenummer : JAN1N5553US
Fabrikant : Microsemi Corporation
Beskrivelse : DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Serie : Military, MIL-PRF-19500/420
Del Status : Active
Diodetype : Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) : 800V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) : 3A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis : 1.3V @ 9A
Hastighed : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 2µs
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr : 1µA @ 800V
Kapacitans @ Vr, F : -
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : SQ-MELF, B
Leverandør Device Package : D-5B
Driftstemperatur - Junction : -65°C ~ 175°C

Seneste nyt

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Du kan også være interesseret i
  • GP2D006A060C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-2.

  • GP2D003A060C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 600V 3A DPAK-2.

  • V20PWM10HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V35PWM60-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • VFT2080S-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 20A 80V ITO-220AB. Rectifiers 20A,80V,TRENCH SKY RECT.

  • M3045S-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO220AB.

Varme dele