Fabrikant :
Infineon Technologies
Beskrivelse :
IC DUAL MOSFET IGBT 8-DIP
Driven konfiguration :
Low-Side
Gate Type :
IGBT, N-Channel MOSFET
Spænding - Supply :
6V ~ 20V
Logisk spænding - VIL, VIH :
0.8V, 2.7V
Nuværende - Peak Output (Source, Sink) :
2.3A, 3.3A
Input Type :
Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap) :
-
Stigning / Falltid (Typ) :
15ns, 10ns
Driftstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype :
Through Hole
Pakke / tilfælde :
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Leverandør Device Package :
8-PDIP