Toshiba Semiconductor and Storage - TPH8R80ANH,L1Q

KEY Part #: K6416417

TPH8R80ANH,L1Q Prissætning (USD) [128463stk Lager]

  • 1 pcs$0.29556
  • 5,000 pcs$0.29409

Varenummer:
TPH8R80ANH,L1Q
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Dioder - Bridge Rectifiers, Dioder - Rectifiers - Single, Transistorer - IGBT'er - Arrays and Thyristorer - SCR'er ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R80ANH,L1Q elektroniske komponenter. TPH8R80ANH,L1Q kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til TPH8R80ANH,L1Q, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH8R80ANH,L1Q Produktegenskaber

Varenummer : TPH8R80ANH,L1Q
Fabrikant : Toshiba Semiconductor and Storage
Beskrivelse : MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Serie : U-MOSVIII-H
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 100V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 32A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 50V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Driftstemperatur : 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : 8-SOP Advance (5x5)
Pakke / tilfælde : 8-PowerVDFN