Microsemi Corporation - JAN1N6628US

KEY Part #: K6449552

JAN1N6628US Prissætning (USD) [4373stk Lager]

  • 1 pcs$9.95367
  • 100 pcs$9.90415

Varenummer:
JAN1N6628US
Fabrikant:
Microsemi Corporation
Detaljeret beskrivelse:
DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B. Rectifiers Rectifier
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Dioder - Rectifiers - Single, Transistorer - Særligt formål, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Thyristorer - SCR'er - Moduler, Power Driver Modules, Thyristorer - SCR'er and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Microsemi Corporation JAN1N6628US elektroniske komponenter. JAN1N6628US kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til JAN1N6628US, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N6628US Produktegenskaber

Varenummer : JAN1N6628US
Fabrikant : Microsemi Corporation
Beskrivelse : DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B
Serie : Military, MIL-PRF-19500/590
Del Status : Active
Diodetype : Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) : 660V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) : 1.75A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis : 1.35V @ 2A
Hastighed : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr : 2µA @ 660V
Kapacitans @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : E-MELF
Leverandør Device Package : D-5B
Driftstemperatur - Junction : -65°C ~ 150°C

Du kan også være interesseret i
  • C4D08120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 7.5A

  • BAT 64 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • BAS 70 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.

  • BAT 54 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS 40 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • BAS 16 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3.