Vishay Siliconix - SQ4431EY-T1_GE3

KEY Part #: K6420384

SQ4431EY-T1_GE3 Prissætning (USD) [190084stk Lager]

  • 1 pcs$0.19459
  • 2,500 pcs$0.16445

Varenummer:
SQ4431EY-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Thyristorer - SCR'er - Moduler, Dioder - Bridge Rectifiers, Transistorer - IGBT'er - Single, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Thyristorer - TRIACs and Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Vishay Siliconix SQ4431EY-T1_GE3 elektroniske komponenter. SQ4431EY-T1_GE3 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til SQ4431EY-T1_GE3, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ4431EY-T1_GE3 Produktegenskaber

Varenummer : SQ4431EY-T1_GE3
Fabrikant : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Del Status : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 30V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 10.8A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 1265pF @ 15V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 6W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : 8-SO
Pakke / tilfælde : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Du kan også være interesseret i