BYM10-50HE3/97 Prissætning (USD) [675586stk Lager]
- 1 pcs$0.05475
- 10,000 pcs$0.04962
- Varenummer:
- BYM10-50HE3/97
- Fabrikant:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB. Rectifiers 50 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Zener - Single, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Dioder - Bridge Rectifiers, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Thyristorer - TRIACs and Transistorer - Særligt formål ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Vishay Semiconductor Diodes Division BYM10-50HE3/97 elektroniske komponenter. BYM10-50HE3/97 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til BYM10-50HE3/97, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
BYM10-50HE3/97 Produktegenskaber
Varenummer :
BYM10-50HE3/97
Fabrikant :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beskrivelse :
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
Serie :
SUPERECTIFIER®
Del Status :
Active
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
50V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
1A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
1.1V @ 1A
Hastighed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
10µA @ 50V
Kapacitans @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
DO-213AB, MELF (Glass)
Leverandør Device Package :
DO-213AB
Driftstemperatur - Junction :
-65°C ~ 175°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
RGL34JHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
RGL34BHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34GHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34DHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34BHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
Varme dele
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR