NXP USA Inc. - PHD98N03LT,118

KEY Part #: K6400250

[3461stk Lager]


    Varenummer:
    PHD98N03LT,118
    Fabrikant:
    NXP USA Inc.
    Detaljeret beskrivelse:
    MOSFET N-CH 25V 75A DPAK.
    Producentens standard ledetid:
    På lager
    Opbevaringstid:
    Et år
    Chip fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåde:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Bridge Rectifiers, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Transistorer - Særligt formål, Power Driver Modules, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Transistorer - IGBT'er - Moduler and Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays ...
    Konkurrencefordel:
    Vi er specialiserede i NXP USA Inc. PHD98N03LT,118 elektroniske komponenter. PHD98N03LT,118 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til PHD98N03LT,118, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PHD98N03LT,118 Produktegenskaber

    Varenummer : PHD98N03LT,118
    Fabrikant : NXP USA Inc.
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
    Serie : TrenchMOS™
    Del Status : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Afløb til Source Voltage (VDSS) : 25V
    Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 75A (Tc)
    Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.9 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±20V
    Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 20V
    FET-funktion : -
    Power Dissipation (Max) : 111W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Monteringstype : Surface Mount
    Leverandør Device Package : DPAK
    Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63