GeneSiC Semiconductor - S6JR

KEY Part #: K6425038

Detaljeret beskrivelse:: DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4. Rectifiers 600V 6A REV Leads Std. Recovery

Familiekategorier:: KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Dioder - Rectifiers - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - Særligt formål and Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single ...

Konkurrencefordel:: Vi er specialiserede i GeneSiC Semiconductor S6JR elektroniske komponenter. S6JR kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til S6JR, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com

Varenummer : S6JR

Fabrikant : GeneSiC Semiconductor

Beskrivelse : DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4

Serie : -

Del Status : Active

Diodetype : Standard, Reverse Polarity

Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) : 600V

Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) : 6A

Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis : 1.1V @ 6A

Hastighed : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : -

Nuværende - Reverse Lækage @ Vr : 10µA @ 100V

Kapacitans @ Vr, F : -

Monteringstype : Chassis, Stud Mount

Pakke / tilfælde : DO-203AA, DO-4, Stud

Leverandør Device Package : DO-4

Driftstemperatur - Junction : -65°C ~ 175°C

Du kan også være interesseret i

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier
VS-20ETS08SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.

Varme dele