EPC - EPC2103ENGRT

KEY Part #: K6523239

EPC2103ENGRT Prissætning (USD) [19462stk Lager]

1 pcs$2.34097
500 pcs$2.32932

Varenummer:: EPC2103ENGRT

Fabrikant:: EPC

Detaljeret beskrivelse:: GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V.

Producentens standard ledetid:: På lager

Opbevaringstid:: Et år

Chip fra:: Hong Kong

RoHS:

Betalingsmetode:

Forsendelsesmåde:

Familiekategorier:: KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - TRIACs, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Thyristorer - SCR'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistorer - IGBT'er - Moduler ...

Konkurrencefordel:: Vi er specialiserede i EPC EPC2103ENGRT elektroniske komponenter. EPC2103ENGRT kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til EPC2103ENGRT, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

EPC2103ENGRT Produktegenskaber

Varenummer : EPC2103ENGRT

Fabrikant : EPC

Beskrivelse : GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V

Serie : eGaN®

Del Status : Active

FET Type : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET-funktion : GaNFET (Gallium Nitride)

Afløb til Source Voltage (VDSS) : 80V

Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 23A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 5V

Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 7600pF @ 40V

Strøm - Max : -

Driftstemperatur : -

Monteringstype : Surface Mount

Pakke / tilfælde : Die

Leverandør Device Package : Die

Du kan også være interesseret i

DMC25D0UVT-7

Diodes Incorporated

MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.
SM6K2T110

Rohm Semiconductor

MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.
ZXMC3AMCTA

Diodes Incorporated

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.
IRF7501TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.
SI4288DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO.
SH8K32TB1

Rohm Semiconductor

MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8.