Infineon Technologies - IPD220N06L3GBTMA1

KEY Part #: K6420983

IPD220N06L3GBTMA1 Prissætning (USD) [310556stk Lager]

  • 1 pcs$0.11910
  • 2,500 pcs$0.09778

Varenummer:
IPD220N06L3GBTMA1
Fabrikant:
Infineon Technologies
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - SCR'er, Power Driver Modules, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Dioder - Zener - Single, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Transistorer - JFET'er, Dioder - Rectifiers - Single and Thyristorer - TRIACs ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Infineon Technologies IPD220N06L3GBTMA1 elektroniske komponenter. IPD220N06L3GBTMA1 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IPD220N06L3GBTMA1, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD220N06L3GBTMA1 Produktegenskaber

Varenummer : IPD220N06L3GBTMA1
Fabrikant : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Serie : OptiMOS™
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 60V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 1600pF @ 30V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 36W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : PG-TO252-3
Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63