Vishay Siliconix - SQJ401EP-T1_GE3

KEY Part #: K6419049

SQJ401EP-T1_GE3 Prissætning (USD) [89398stk Lager]

  • 1 pcs$0.43737

Varenummer:
SQJ401EP-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Dioder - Rectifiers - Arrays, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Thyristorer - SCR'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased and Dioder - Bridge Rectifiers ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Vishay Siliconix SQJ401EP-T1_GE3 elektroniske komponenter. SQJ401EP-T1_GE3 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til SQJ401EP-T1_GE3, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ401EP-T1_GE3 Produktegenskaber

Varenummer : SQJ401EP-T1_GE3
Fabrikant : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Del Status : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 12V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 32A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 164nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 10015pF @ 6V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 83W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : PowerPAK® SO-8
Pakke / tilfælde : PowerPAK® SO-8

Du kan også være interesseret i