ON Semiconductor - FDD5810-F085

KEY Part #: K6396048

FDD5810-F085 Prissætning (USD) [203443stk Lager]

  • 1 pcs$0.18181

Varenummer:
FDD5810-F085
Fabrikant:
ON Semiconductor
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 37A DPAK.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - SCR'er, Transistorer - IGBT'er - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - Rectifiers - Arrays, Transistorer - JFET'er, Dioder - Bridge Rectifiers, Dioder - Zener - Arrays and Transistorer - IGBT'er - Moduler ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i ON Semiconductor FDD5810-F085 elektroniske komponenter. FDD5810-F085 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til FDD5810-F085, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD5810-F085 Produktegenskaber

Varenummer : FDD5810-F085
Fabrikant : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 60V 37A DPAK
Serie : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 60V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 7.4A (Ta), 37A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 1890pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 72W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : D-PAK (TO-252)
Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63