STMicroelectronics - STD13N60DM2

KEY Part #: K6419293

STD13N60DM2 Prissætning (USD) [102258stk Lager]

  • 1 pcs$0.38237
  • 2,500 pcs$0.32068

Varenummer:
STD13N60DM2
Fabrikant:
STMicroelectronics
Detaljeret beskrivelse:
N-CHANNEL 600 V 0.310 OHM TYP..
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - JFET'er, Dioder - RF, Transistorer - IGBT'er - Single, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Thyristorer - SCR'er - Moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Thyristorer - TRIACs and Power Driver Modules ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i STMicroelectronics STD13N60DM2 elektroniske komponenter. STD13N60DM2 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til STD13N60DM2, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD13N60DM2 Produktegenskaber

Varenummer : STD13N60DM2
Fabrikant : STMicroelectronics
Beskrivelse : N-CHANNEL 600 V 0.310 OHM TYP.
Serie : MDmesh™ DM2
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 600V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 365 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 730pF @ 100V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 110W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : DPAK
Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63