Microsemi Corporation - APTM120UM70DAG

KEY Part #: K6396561

APTM120UM70DAG Prissætning (USD) [373stk Lager]

  • 1 pcs$124.75785
  • 100 pcs$124.13717

Varenummer:
APTM120UM70DAG
Fabrikant:
Microsemi Corporation
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 1200V 171A SP6.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Dioder - Bridge Rectifiers, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Transistorer - Særligt formål, Transistorer - JFET'er, Power Driver Modules, Thyristorer - SCR'er - Moduler and Transistorer - IGBT'er - Single ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Microsemi Corporation APTM120UM70DAG elektroniske komponenter. APTM120UM70DAG kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til APTM120UM70DAG, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120UM70DAG Produktegenskaber

Varenummer : APTM120UM70DAG
Fabrikant : Microsemi Corporation
Beskrivelse : MOSFET N-CH 1200V 171A SP6
Serie : -
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 1200V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 171A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 85.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 30mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1650nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 43500pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 5000W (Tc)
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Leverandør Device Package : SP6
Pakke / tilfælde : SP6