Winbond Electronics - W979H6KBVX2I TR

KEY Part #: K940234

W979H6KBVX2I TR Prissætning (USD) [28639stk Lager]

  • 1 pcs$2.10886
  • 3,500 pcs$2.09837

Varenummer:
W979H6KBVX2I TR
Fabrikant:
Winbond Electronics
Detaljeret beskrivelse:
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C T&R
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: PMIC - Gate Drivers, Interface - UARTs (Universal Asynchronous Receiver, PMIC - Belysning, Ballast Controllers, Logik - Buffere, drivere, modtagere, transceivere, Interface - Signal Terminatorer, Interface - Analoge Switches - Special Purpose, Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) m and Hukommelse - Batterier ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Winbond Electronics W979H6KBVX2I TR elektroniske komponenter. W979H6KBVX2I TR kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til W979H6KBVX2I TR, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W979H6KBVX2I TR Produktegenskaber

Varenummer : W979H6KBVX2I TR
Fabrikant : Winbond Electronics
Beskrivelse : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Serie : -
Del Status : Active
Hukommelsestype : Volatile
Hukommelsesformat : DRAM
Teknologi : SDRAM - Mobile LPDDR2
Hukommelsesstørrelse : 512Mb (32M x 16)
Urfrekvens : 400MHz
Skriv cyklus Tid - Ord, Side : 15ns
Adgangstid : -
Memory Interface : Parallel
Spænding - Supply : 1.14V ~ 1.95V
Driftstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : 134-VFBGA
Leverandør Device Package : 134-VFBGA (10x11.5)

Du kan også være interesseret i
  • CY7C199D-25SXET

    Cypress Semiconductor Corp

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256 KB, 5.50 V 25 ns Async Fast SRAMs

  • W94AD2KBJX5E TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz T&R

  • W632GG8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 667MHz

  • W632GG8MB-11

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 933MHz

  • W632GU8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 667MHz

  • W632GU8MB-12

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 800MHz,