BYG10G-E3/TR Prissætning (USD) [739474stk Lager]
- 1 pcs$0.05002
- 1,800 pcs$0.04701
- 3,600 pcs$0.04231
- 5,400 pcs$0.03996
- 12,600 pcs$0.03643
- 45,000 pcs$0.03408
- Varenummer:
- BYG10G-E3/TR
- Fabrikant:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE AVALANCHE 400V 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 400 Volt
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Dioder - Bridge Rectifiers, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Power Driver Modules, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - IGBT'er - Single and Dioder - Zener - Arrays ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10G-E3/TR elektroniske komponenter. BYG10G-E3/TR kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til BYG10G-E3/TR, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
BYG10G-E3/TR Produktegenskaber
Varenummer :
BYG10G-E3/TR
Fabrikant :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beskrivelse :
DIODE AVALANCHE 400V 1.5A
Serie :
-
Del Status :
Active
Diodetype :
Avalanche
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
400V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
1.5A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
1.15V @ 1.5A
Hastighed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
4µs
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
1µA @ 400V
Kapacitans @ Vr, F :
-
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
DO-214AC, SMA
Leverandør Device Package :
DO-214AC (SMA)
Driftstemperatur - Junction :
-55°C ~ 150°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
CSD01060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
-
BAS19-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 120V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
C3D10060G
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A
-
VS-50WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
VS-30WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
Varme dele
- BAS16J/ZLF
- R7004203XXUA
- 1N4148 BK
- MBRH30040L
- VS-8ETX06STRLPBF
- 1N3292B
- V20100SHM3/4W
- RGP10D-M3/54
- RGP02-20E-M3/54
- RGP10AHM3/73
- SSB44HE3/52T
- RK 39
- CD214B-B230LF
- CD214B-B120LF
- CD214A-B220LF
- CDBMH2100-HF
- 1N3900R
- NSR05F30NRT5G
- UG5JT-E3/45
- FES16ATHE3/45
- DTV32F-E3/45
- 1N5401-AP
- SS3P6LHM3/86A
- SS2H9HE3/5BT
- S4PGHM3/87A
- 1N4002_NL
- UG2003-T
- SIDC32D170HX1SA3
- SIDC09D60E6YX1SA1
- JANTX1N6623
- STTA106U
- 1N5404RL
- MA2778400L
- IRKE166/14
- IRD3910R
- FR505-TP
- SE20DBHM3/I
- ES3B-M3/57T
- MUR315S M6G
- ES2A-M3/52T