Taiwan Semiconductor Corporation - ES3D M6G

KEY Part #: K6458063

ES3D M6G Prissætning (USD) [838004stk Lager]

  • 1 pcs$0.04414

Varenummer:
ES3D M6G
Fabrikant:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaljeret beskrivelse:
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Transistorer - Særligt formål, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single and Transistorer - Bipolar (BJT) - RF ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Taiwan Semiconductor Corporation ES3D M6G elektroniske komponenter. ES3D M6G kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til ES3D M6G, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES3D M6G Produktegenskaber

Varenummer : ES3D M6G
Fabrikant : Taiwan Semiconductor Corporation
Beskrivelse : DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Serie : -
Del Status : Not For New Designs
Diodetype : Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) : 200V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) : 3A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis : 950mV @ 3A
Hastighed : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 35ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr : 10µA @ 200V
Kapacitans @ Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : DO-214AB, SMC
Leverandør Device Package : DO-214AB (SMC)
Driftstemperatur - Junction : -55°C ~ 150°C

Du kan også være interesseret i
  • BYM07-400-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns

  • GL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM