Varenummer :
IPB019N06L3GATMA1
Fabrikant :
Infineon Technologies
Beskrivelse :
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Teknologi :
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) :
60V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 196µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
166nC @ 4.5V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds :
28000pF @ 30V
Power Dissipation (Max) :
250W (Tc)
Driftstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype :
Surface Mount
Leverandør Device Package :
D²PAK (TO-263AB)
Pakke / tilfælde :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB