Diodes Incorporated - DMN3190LDW-7

KEY Part #: K6525350

DMN3190LDW-7 Prissætning (USD) [974181stk Lager]

  • 1 pcs$0.03797
  • 3,000 pcs$0.03480

Varenummer:
DMN3190LDW-7
Fabrikant:
Diodes Incorporated
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Rectifiers - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - JFET'er, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Dioder - Rectifiers - Arrays, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors) and Transistorer - Særligt formål ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Diodes Incorporated DMN3190LDW-7 elektroniske komponenter. DMN3190LDW-7 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til DMN3190LDW-7, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3190LDW-7 Produktegenskaber

Varenummer : DMN3190LDW-7
Fabrikant : Diodes Incorporated
Beskrivelse : MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Serie : -
Del Status : Active
FET Type : 2 N-Channel (Dual)
FET-funktion : Logic Level Gate
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 30V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 10V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 87pF @ 20V
Strøm - Max : 320mW
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Leverandør Device Package : SOT-363