Infineon Technologies - BSC052N03LSATMA1

KEY Part #: K6416383

BSC052N03LSATMA1 Prissætning (USD) [265165stk Lager]

  • 1 pcs$0.13949

Varenummer:
BSC052N03LSATMA1
Fabrikant:
Infineon Technologies
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 17A TDSON-8.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Dioder - Bridge Rectifiers, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - Rectifiers - Arrays and Transistorer - Bipolar (BJT) - Single ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Infineon Technologies BSC052N03LSATMA1 elektroniske komponenter. BSC052N03LSATMA1 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til BSC052N03LSATMA1, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC052N03LSATMA1 Produktegenskaber

Varenummer : BSC052N03LSATMA1
Fabrikant : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 17A TDSON-8
Serie : OptiMOS™
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 30V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 17A (Ta), 57A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 770pF @ 15V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : PG-TDSON-8
Pakke / tilfælde : 8-PowerTDFN