IXYS - IXTP1N80P

KEY Part #: K6394568

IXTP1N80P Prissætning (USD) [53440stk Lager]

  • 1 pcs$0.73167
  • 300 pcs$0.64387

Varenummer:
IXTP1N80P
Fabrikant:
IXYS
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 800V 1A TO-220.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Dioder - Rectifiers - Arrays, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Dioder - Bridge Rectifiers, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Transistorer - Programmerbar Unijunction and Transistorer - Særligt formål ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i IXYS IXTP1N80P elektroniske komponenter. IXTP1N80P kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IXTP1N80P, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP1N80P Produktegenskaber

Varenummer : IXTP1N80P
Fabrikant : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH 800V 1A TO-220
Serie : Polar™
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 800V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 1A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 42W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandør Device Package : TO-220AB
Pakke / tilfælde : TO-220-3